الترانزستور .....Transistor

الترانزستور... Transistor

    ذلك المارد الصغير الذي قلب موازين الصناعة في الإلكترونيات والذي أحدث ثورة كبيرة في التقدم العلمي والتطور الهائل للأجهزة الإلكترونية فأصبحت تلك الأجهزة تتمتع بقوة التحمل وقوة التشغيل وسهولة الحمل وصغر الحجم ورخص السعر فكل ذلك كان بفضل الترانزستور الذي أرسل بالصمامات الثلاثية والرباعية و.... إلى المقبرة وجعلهم في عالم النسيان وإلى الآن لم يتمكن الإنسان من اختراع شيء بعد الترانزستور يعمل بكفاءة أكثر منه ويدخل الترانزستور في كل الأجهزة الإلكترونية على الإطلاق

 

أثر اختراع الترانزستور على تطور علم الإلكترونيات يُعتبر الترانزستور واحداً من المكونات الإلكترونية الحديثة المهمة، فقد ظهر كاختراعٍ عظيمٍ في القرن العشرين، وتأتي هذه الأهمية انطلاقاً من قدرته على إنتاج العمليات التلقائية، وبالتالي تَصنيع أشباه الموصلات، فيؤدي ذلك إلى إنتاجِ عملياتٍ تلقائيةٍ قليلة التكلفة. تَرَك اختراع الترانزيستور بصمةً واضحةً في عالم الإلكترونيات حيث تكللّتْ جهودُ فريقِ العلماء الأمريكيين بالنّجاح في تطوير أصغر ترانزيستور على مستوى العالم حيث يتيح إمكانية تصغير شرائح السليكون وتضخيمِ سرعةِ العمليات التي تَقوم بها بعض الشرائح. مع تقدّم الوقت أصبح مقاس الترانزيستور 50 نانومتر؛ أي إنَّ ذلك المَقاس يَنخفض بنحو ألفي مرةٍ عن سُمك الشعرة الواحدة، كما تفاوتتْ أنواعها بين الرّأسي والتقليدي، وقد ساهم الترانزستور في اندلاع ثورةِ علم الإلكترونيات التي أنتجت فيما بعد عدداً من الاختراعات متفاوتة الأنواع، كما ظهرت عددٌ من الدوائر المتكاملة فأدّى ذلك إلى لجوءِ العلماء لترتيبِ العناصر الإلكترونية ضمن شريحة صغيرة

الترانزستور Transistor هي اختصارٌ للكلمة الإنجليزية Transfer Resistor وتُشير إلى مُصطلح مقاومة النّقل، وهي أشباهُ موصلاتٍ تدخل في تكوين الأدوات الإلكترونية الحديثة كجهازِ الحاسوب،بشكلٍ أدّق الترانزستور هي بلورة تتألف من مواد شبه موصلة كالجرمانيوم أو السليكون، وتدخل في تركيبتها بلورةٌ رقيقةٌ جداً لتصبح بذلك منطقةً شبه موصلةِ ذات شحناتٍ سالبةٍ أو موجبة، ويُطلق عليها اسم القاعدة لتفصل بين المنطقتين الخارجيتين، ويمتاز الترانزستور بقدرته على تكبيرِ الإشارات الإلكترونية.

يمتلك الترانزستور قُطباً ثنائياً ذا وصلتين من النوع ( N-P-N و P-N-P)، ولهما ثلاثة أطراف أو مخارج، ويتم ربط الباعث والمجمع الخارجين من الترانزستور بالدّائرة الخارجية، أما الطّرف الثالث فيتم إيصاله بالقاعدة الموجودة في الدّائرة الدّاخلية؛ حيث تدخل عددٌ كبيرٌ من الإلكترونات إلى القاعدة من خلال رفع الجهد المُطبق عليها قليلاً وذلك بواسطة المنحازة الأمامية، وتختلف وفقاً لقوّة الجهد المبذول نظراً لأنَّ منطقة القاعدة تمتاز بأنّها رقيقة.

تابع التدوينة القادمة ...